ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]

装置名称	ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
メーカー名	サムコ
型番	RIE-101iPH
用途	・微細加工（エッチング）・化合物半導体・金属薄膜のドライエッチング
仕様	・プラズマ励起方式　誘導結合型・電源出力　ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大300W ・プロセスガス　Cl2，BCl3，Ar，O2，N2 ・試料ステージ温度　200度以下・試料サイズ　最大φ4インチ

利用時間単位	時間（1h）
機器利用料金（税抜金額）	大学・公的機関・スタートアップ企業 3,300円/時間中小企業 5,500円/時間大企業 11,000円/時間
利用可能形態	機器利用：○ 技術指導：○ 技術代行：○
マテリアル先端リサーチインフラの利用	○
問い合わせ先部署	微細加工ユニット
設置場所	並木地区 MANA棟

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国立研究開発法人 物質・材料研究機構