赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]
装置名称 | 赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3] |
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メーカー名 | アドバンス理工株式会社 |
型番 | RTP-6 |
用途 | 小片~φ6インチの急速アニール |
仕様 | 加熱方式:放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式 プロセス温度:1100℃以下 昇温速度:10℃/秒以下 プロセスガス:O2, N2, Ar+H2(3%) 試料サイズ:最大φ6インチ |
利用時間単位 | 時間(1h) |
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機器利用料金(税抜金額) |
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利用可能形態 |
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マテリアル先端リサーチインフラの利用 | ○ |
問い合わせ先部署 | 微細加工ユニット |
設置場所 | 千現地区 材料信頼性実験棟1F |
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